- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,137
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 60W (Tc) | N-Channel | 500V | 25A (Ta) | 240 mOhm @ 12.5A, 10V | - | 66nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,533
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 60W (Tc) | N-Channel | 500V | 3A (Ta) | 3 Ohm @ 1.5A, 10V | 4.4V @ 1mA | 7nC @ 10V | 280pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
902
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 60W (Tc) | N-Channel | 500V | 6.6A (Tc) | 520 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 52nC @ 10V | 1423pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,041
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 60W (Tc) | N-Channel | 500V | 6.6A (Tc) | 520 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 52nC @ 10V | 1423pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1