- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,374
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251 | 69W (Tc) | N-Channel | 500V | 3A (Tc) | 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 12nC @ 10V | 175pF @ 100V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,580
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251 | 104W (Tc) | N-Channel | 500V | 5.3A (Tc) | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 20nC @ 10V | 325pF @ 100V | 10V | ±30V |