- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,988
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 50W (Tc) | N-Channel | 500V | 2.5A (Tc) | 3 Ohm @ 1.5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 340pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,266
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | 500V | 8A (Tc) | 850 mOhm @ 4.8A, 10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | 1018pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,432
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 3.1W (Ta), 74W (Tc) | N-Channel | 500V | 5A (Tc) | 1.4 Ohm @ 3A, 10V | 4.5V @ 250µA | 24nC @ 10V | 620pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
982
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | 500V | 8A (Tc) | 850 mOhm @ 4.8A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 10V | ±30V |