- 制造商 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,804
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263) | 156W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 14.5A (Tc) | 280 mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 66nC @ 10V | 1162pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
842
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263) | 114W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 10.5A (Tc) | 380 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | 886pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,628
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-263 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263) | 179W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 19A (Tc) | 184 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 92nC @ 10V | 1640pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,517
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 | HiPerFET™ | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 500W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 40A (Tc) | 140 mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 130nC @ 10V | 3800pF @ 25V | 10V | ±30V |