晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SIHB16N50C-E3	单位 $3.36	获得报价	PDF RFQ	1,313 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK	-	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	250W (Tc)	N-Channel	500V	16A (Tc)	380 mOhm @ 8A, 10V	5V @ 250µA	68nC @ 10V	1900pF @ 25V	10V	±30V
	SIHB15N50E-GE3	单位 $2.88	获得报价	PDF RFQ	3,804 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	156W (Tc)	N-Channel	500V	14.5A (Tc)	280 mOhm @ 7.5A, 10V	4V @ 250µA	66nC @ 10V	1162pF @ 100V	10V	±30V
	SIHB12N50E-GE3	单位 $2.47	获得报价	PDF RFQ	842 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	114W (Tc)	N-Channel	500V	10.5A (Tc)	380 mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	886pF @ 100V	10V	±30V
	SIHB20N50E-GE3	单位 $3.42	获得报价	PDF RFQ	1,628 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 19A TO-263	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	179W (Tc)	N-Channel	500V	19A (Tc)	184 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	92nC @ 10V	1640pF @ 100V	10V	±30V
	SIHB12N50C-E3	单位 $2.73	获得报价	PDF RFQ	2,516 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK	-	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	208W (Tc)	N-Channel	500V	12A (Tc)	555 mOhm @ 4A, 10V	5V @ 250µA	48nC @ 10V	1375pF @ 25V	10V	±30V

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