晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	APTM120SK56T1G		获得报价	PDF RFQ	827 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1200V 18A SP1	-	Obsolete	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP1	SP1	390W (Tc)	N-Channel	-	1200V	18A (Tc)	672 mOhm @ 14A, 10V	5V @ 2.5mA	300nC @ 10V	7736pF @ 25V	10V	±30V
	APTM120DA56T1G		获得报价	PDF RFQ	3,098 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1200V 18A SP1	-	Obsolete	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP1	SP1	390W (Tc)	N-Channel	-	1200V	18A (Tc)	672 mOhm @ 14A, 10V	5V @ 2.5mA	300nC @ 10V	7736pF @ 25V	10V	±30V
	APTM100SK33T1G	单位 $27.22	获得报价	PDF RFQ	2,039 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 23A SP1	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP1	SP1	390W (Tc)	N-Channel	-	1000V	23A (Tc)	396 mOhm @ 18A, 10V	5V @ 2.5mA	305nC @ 10V	7868pF @ 25V	10V	±30V
	APTM100DA33T1G	单位 $27.22	获得报价	PDF RFQ	3,497 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 23A SP1	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP1	SP1	390W (Tc)	N-Channel	-	1000V	23A (Tc)	396 mOhm @ 18A, 10V	5V @ 2.5mA	305nC @ 10V	7868pF @ 25V	10V	±30V
	IXFH22N65X2	单位 $4.09	获得报价	PDF RFQ	973 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 650V 22A TO-247	HiPerFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	390W (Tc)	N-Channel	-	650V	22A (Tc)	160 mOhm @ 11A, 10V	5.5V @ 1.5mA	38nC @ 10V	2310pF @ 25V	10V	±30V
	IXTH24N65X2	单位 $4.00	获得报价	PDF RFQ	1,893 有现货	IXYS	MOSFET N-CH	-	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	390W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	145 mOhm @ 12A, 10V	5V @ 250µA	36nC @ 10V	2060pF @ 25V	10V	±30V
	SIHG32N50D-E3	单位 $3.25	获得报价	PDF RFQ	2,114 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	390W (Tc)	N-Channel	-	500V	30A (Tc)	150 mOhm @ 16A, 10V	5V @ 250µA	96nC @ 10V	2550pF @ 100V	10V	±30V
	IXTA24N65X2	单位 $3.21	获得报价	PDF RFQ	2,821 有现货	IXYS	MOSFET N-CH	-	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263AA	390W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	145 mOhm @ 12A, 10V	5V @ 250µA	36nC @ 10V	2060pF @ 25V	10V	±30V
	IXTP24N65X2	单位 $3.12	获得报价	PDF RFQ	3,072 有现货	IXYS	MOSFET N-CH	-	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	390W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	145 mOhm @ 12A, 10V	5V @ 250µA	36nC @ 10V	2060pF @ 25V	10V	±30V
	IRFB4332PBF	单位 $4.13	获得报价	PDF RFQ	2,247 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-40°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	390W (Tc)	N-Channel	-	250V	60A (Tc)	33 mOhm @ 35A, 10V	5V @ 250µA	150nC @ 10V	5860pF @ 25V	10V	±30V
	IXFP22N65X2	单位 $3.94	获得报价	PDF RFQ	2,731 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 650V 22A TO-220	HiPerFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220	390W (Tc)	N-Channel	-	650V	22A (Tc)	160 mOhm @ 11A, 10V	5.5V @ 1.5mA	38nC @ 10V	2310pF @ 25V	10V	±30V
	SIHG32N50D-GE3	单位 $5.48	获得报价	PDF RFQ	1,539 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	390W (Tc)	N-Channel	-	500V	30A (Tc)	150 mOhm @ 16A, 10V	5V @ 250µA	96nC @ 10V	2550pF @ 100V	10V	±30V
	IXFA22N65X2	单位 $4.11	获得报价	PDF RFQ	2,289 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 650V 22A TO-263	HiPerFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263	390W (Tc)	N-Channel	-	650V	22A (Tc)	160 mOhm @ 11A, 10V	5.5V @ 1.5mA	38nC @ 10V	2310pF @ 25V	10V	±30V

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