- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,190
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 60W (Tc) | N-Channel | 200V | 40A (Ta) | 36 mOhm @ 20A, 10V | 72nC @ 10V | 2900pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,137
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 60W (Tc) | N-Channel | 500V | 25A (Ta) | 240 mOhm @ 12.5A, 10V | 66nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
886
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 60W (Tc) | N-Channel | 600V | 30A (Ta) | 235 mOhm @ 15A, 10V | 92nC @ 10V | 4100pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,199
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 60W (Tc) | N-Channel | 600V | 21A (Ta) | 360 mOhm @ 10.5A, 10V | 67nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1