- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,344
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251AA | 104W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 5.3A (Tc) | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 20nC @ 10V | 325pF @ 100V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,580
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251 | 104W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 5.3A (Tc) | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 20nC @ 10V | 325pF @ 100V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,860
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 7.4A (Tc) | 420 mOhm @ 3.7A, 10V | 5V @ 250µA | 20nC @ 10V | 700pF @ 25V | 10V | ±30V |