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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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1,158
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP POWER MOS IV® Obsolete Tray MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 690W (Tc) N-Channel - 800V 40A (Tc) 180 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 5mA 700nC @ 10V 14000pF @ 25V 10V ±30V
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RFQ
1,791
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP POWER MOS IV® Obsolete Tray MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 690W (Tc) N-Channel - 400V 86A (Tc) 42 mOhm @ 43A, 10V 4V @ 5mA 760nC @ 10V 14000pF @ 25V 10V ±30V
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3,489
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 99A SP4 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP4 SP4 781W (Tc) N-Channel - 500V 99A (Tc) 39 mOhm @ 49.5A, 10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V 14000pF @ 25V 10V ±30V
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1,531
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 99A SP4 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP4 SP4 781W (Tc) N-Channel - 500V 99A (Tc) 39 mOhm @ 49.5A, 10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V 14000pF @ 25V 10V ±30V
IXFN40N110Q3
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IXYS MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 960W (Tc) N-Channel - 1100V 35A (Tc) 260 mOhm @ 20A, 10V 6.5V @ 8mA 300nC @ 10V 14000pF @ 25V 10V ±30V
IXFN26N120P
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$35.18
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IXYS MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B Polar™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 695W (Tc) N-Channel - 1200V 23A (Tc) 460 mOhm @ 13A, 10V 6.5V @ 1mA 225nC @ 10V 14000pF @ 25V 10V ±30V
IXFN40N90P
单位
$25.22
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IXYS MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Polar™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 695W (Tc) N-Channel - 900V 33A (Tc) 210 mOhm @ 20A, 10V 6.5V @ 1mA 230nC @ 10V 14000pF @ 25V 10V ±30V
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