- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,563
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | E | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB | IPAK (TO-251) | 69W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 4.3A (Tc) | 1.27 Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | 622pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,510
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK | E | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB | IPAK (TO-251) | 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2.8A (Tc) | 2.75 Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 19.6nC @ 10V | 315pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,073
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | E | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB | IPAK (TO-251) | 78W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 5.4A (Tc) | 940 mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 44nC @ 10V | 827pF @ 100V | 10V | ±30V |