- 系列 :
- 包装/箱 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,869
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX | POWER MOS 8™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 Variant | TO-247 [B] | 1040W (Tc) | N-Channel | 600V | 60A (Tc) | 130 mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 280nC @ 10V | 11300pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,513
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 [B] | 431W (Tc) | N-Channel | 600V | 60A (Tc) | 45 mOhm @ 44A, 10V | 3.9V @ 3mA | 190nC @ 10V | 7200pF @ 25V | 10V | ±30V |