- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,739
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 3.78W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 35A (Tc) | 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V | 1.5V @ 250µA | 31.5nC @ 4.5V | 2610pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,979
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 3.78W (Ta), 52W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 35A (Tc) | 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V | 1.5V @ 250µA | 31.5nC @ 4.5V | 2610pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
880
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 11.3A (Tc) | 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V | 1.5V @ 250µA | 27nC @ 4.5V | 2610pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
962
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 11.3A (Tc) | 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V | 1.5V @ 250µA | 27nC @ 4.5V | 2610pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±12V |