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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,744
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MT | DIRECTFET™ MT | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 32A (Ta), 180A (Tc) | 1.8 mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 71nC @ 4.5V | 6580pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,600
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MT | DIRECTFET™ MT | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 32A (Ta), 180A (Tc) | 1.8 mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 71nC @ 4.5V | 6580pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,550
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MT | DIRECTFET™ MT | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 32A (Ta), 180A (Tc) | 1.8 mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 71nC @ 4.5V | 6580pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,169
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MT | DIRECTFET™ MT | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 32A (Ta), 180A (Tc) | 1.8 mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 71nC @ 4.5V | 6580pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±12V |