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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIE806DF-T1-GE3
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RFQ
1,288
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 30V 60A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 250nC @ 10V 13000pF @ 15V 4.5V, 10V ±12V
SIE806DF-T1-E3
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3,818
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 30V 60A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 250nC @ 10V 13000pF @ 15V 4.5V, 10V ±12V
SIE806DF-T1-E3
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2,282
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 30V 60A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 250nC @ 10V 13000pF @ 15V 4.5V, 10V ±12V
SIE806DF-T1-E3
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3,488
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 30V 60A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 250nC @ 10V 13000pF @ 15V 4.5V, 10V ±12V
PSMN1R7-25YLDX
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1,847
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Nexperia USA Inc. PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 135W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 25V 100A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 46.7nC @ 10V 3415pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
PSMN1R7-25YLDX
单位
$0.99
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RFQ
1,306
有现货
Nexperia USA Inc. PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 135W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 25V 100A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 46.7nC @ 10V 3415pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
PSMN1R7-25YLDX
单位
$0.41
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RFQ
3,655
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Nexperia USA Inc. PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 135W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 25V 100A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 46.7nC @ 10V 3415pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
PSMN1R9-40PLQ
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$3.17
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3,484
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 150A SOT78 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 349W (Tc) N-Channel - 40V 150A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 120nC @ 5V 13200pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
PSMN1R6-30PL,127
单位
$3.00
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RFQ
3,132
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 306W (Tc) N-Channel - 30V 100A (Tc) 1.7 mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 212nC @ 10V 12493pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
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