- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,811
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 36W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 47A (Tc) | 9.4 mOhm @ 24A, 10V | 2.3V @ 14µA | 9.4nC @ 4.5V | 1300pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,509
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 3W (Ta), 136W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 50A (Tc) | 9.4 mOhm @ 24A, 10V | 3V @ 250µA | 150nC @ 10V | 4800pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,769
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 3W (Ta), 136W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 50A (Tc) | 9.4 mOhm @ 24A, 10V | 3V @ 250µA | 150nC @ 10V | 4800pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,189
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 3W (Ta), 136W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 50A (Tc) | 9.4 mOhm @ 24A, 10V | 3V @ 250µA | 150nC @ 10V | 4800pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |