- 供应商设备包 :
- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,377
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 2W (Ta) | P-Channel | 20V | 3.8A (Ta) | 90 mOhm @ 3A, 10V | 2V @ 250µA | 18nC @ 10V | 630pF @ 16V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,060
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60VSOT223 | Automotive, AEC-Q101 | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta) | N-Channel | 60V | 3.8A (Ta) | 80 mOhm @ 4.8A, 10V | 1V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | 459pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,626
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) | 2W (Ta) | P-Channel | 30V | 3.8A (Ta) | 98 mOhm @ 3.8A, 10V | 2.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 511pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,117
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta) | N-Channel | 60V | 3.8A (Ta) | 80 mOhm @ 4.8A, 10V | 1V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | 459pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V |