- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,404
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | PG-TSOP6-6 | 2W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 1.4A (Ta) | 460 mOhm @ 1.26A, 10V | 1.8V @ 100µA | 4nC @ 5V | 152.7pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,454
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | PG-TSOP6-6 | 2W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 2A (Ta) | 220 mOhm @ 2A, 10V | 1.8V @ 218µA | 14.3nC @ 10V | 329pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |