- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
2,254
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | SIPMOS® | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 250W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 70A (Tc) | 16 mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 2mA | 240nC @ 10V | 4540pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
2,247
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 79W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 80A (Tc) | 6.7 mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 40µA | 75nC @ 10V | 5680pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | |||
|
获得报价 |
796
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 | STripFET™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 70W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 40A (Tc) | 22 mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | 770pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |