- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,970
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 55V 440A TO-268 | TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 440A (Tc) | 1.8 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 405nC @ 10V | 25000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,295
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 55V 440A TO-247 | TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 (IXTH) | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 440A (Tc) | 1.8 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 405nC @ 10V | 25000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,272
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 230W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 195A (Tc) | 1.8 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 150µA | 225nC @ 10V | 7330pF @ 25V | 10V | ±20V |