- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,981
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-204AA, TO-3 | TO-3 | 150W (Tc) | P-Channel | 100V | 25A (Tc) | 200 mOhm @ 15.8A, 10V | 4V @ 250µA | - | 3000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,731
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-204AA, TO-3 | TO-3 | 150W (Tc) | P-Channel | 100V | 25A (Tc) | 200 mOhm @ 15.8A, 10V | 4V @ 250µA | - | 3000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,813
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-204AA, TO-3 | TO-3 | 150W (Tc) | P-Channel | 100V | 25A (Tc) | 200 mOhm @ 15.8A, 10V | 4V @ 250µA | - | 3000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,873
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 150W (Tc) | N-Channel | 600V | 20A (Ta) | 330 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 60nC @ 10V | 4250pF @ 25V | 10V | ±30V |