- 供应商设备包 :
- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,373
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 100 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 35nC @ 10V | 620pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,785
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.7W (Ta), 150W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 19A (Tc) | 200 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 61nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
901
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V MLFPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-1210, 8-LFPAK33 | LFPAK33 | 31W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 19A (Tc) | 45 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 6.2nC @ 10V | 317pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,278
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK | TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 64W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 19A (Tc) | 65 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 17.8nC @ 10V | 1023pF @ 25V | 10V | ±20V |