- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,599
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | POWER MOS 8™ | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D3Pak | 500W (Tc) | N-Channel | 800V | 19A (Tc) | 530 mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 120nC @ 10V | 3760pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,537
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 | POWER MOS 7® | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | 520W (Tc) | N-Channel | 1200V | 19A (Tc) | 570 mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 2.5mA | 290nC @ 10V | 6200pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,628
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-263 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263) | 179W (Tc) | N-Channel | 500V | 19A (Tc) | 184 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 92nC @ 10V | 1640pF @ 100V | 10V | ±30V |