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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,020
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | CoolMOS™ P7 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | PG-VSON-4 | 81W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 19A (Tc) | 185 mOhm @ 5.6A, 10V | 4V @ 280µA | 25nC @ 10V | 1081pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,157
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | CoolMOS™ P7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | PG-VSON-4 | 81W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 19A (Tc) | 185 mOhm @ 5.6A, 10V | 4V @ 280µA | 25nC @ 10V | 1081pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,309
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | CoolMOS™ P7 | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | PG-VSON-4 | 81W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 19A (Tc) | 185 mOhm @ 5.6A, 10V | 4V @ 280µA | 25nC @ 10V | 1081pF @ 400V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1