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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STP19NB20
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RFQ
3,202
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 PowerMESH™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 125W (Tc) N-Channel - 200V 19A (Tc) 180 mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 40nC @ 10V 1000pF @ 25V 10V ±30V
FDP19N40
单位
$3.01
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RFQ
3,513
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 400V 19A TO-220 UniFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220-3 215W (Tc) N-Channel - 400V 19A (Tc) 240 mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 40nC @ 10V 2115pF @ 25V 10V ±30V
FDA18N50
单位
$3.02
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RFQ
691
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P UniFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3PN 239W (Tc) N-Channel - 500V 19A (Tc) 265 mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 60nC @ 10V 2860pF @ 25V 10V ±30V
IRFI4229PBF
单位
$3.42
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RFQ
1,098
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 46W (Tc) N-Channel - 250V 19A (Tc) 46 mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 110nC @ 10V 4480pF @ 25V 10V ±30V
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