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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQI19N20CTU
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RFQ
1,470
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK QFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA I2PAK (TO-262) 3.13W (Ta), 139W (Tc) N-Channel - 200V 19A (Tc) 170 mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 53nC @ 10V 1080pF @ 25V 10V ±30V
IRF9540L
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RFQ
1,564
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 19A TO-262 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA I2PAK - P-Channel - 100V 19A (Tc) 200 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61nC @ 10V 1400pF @ 25V 10V ±20V
IRF9Z34NL
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RFQ
2,260
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 3.8W (Ta), 68W (Tc) P-Channel - 55V 19A (Tc) 100 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 620pF @ 25V 10V ±20V
STI23NM60N
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RFQ
2,968
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK MDmesh™ II Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA I2PAK 150W (Tc) N-Channel - 600V 19A (Tc) 180 mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V 2050pF @ 50V 10V ±25V
IRF9Z34NLPBF
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RFQ
1,310
有现货
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 3.8W (Ta), 68W (Tc) P-Channel - 55V 19A (Tc) 100 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 620pF @ 25V 10V ±20V
STI24NM65N
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RFQ
3,672
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK MDmesh™ II Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA I2PAK 160W (Tc) N-Channel - 650V 19A (Tc) 190 mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 2500pF @ 50V 10V ±25V
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