- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,460
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 | CoolMOS™ | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP1 | SP1 | 462W (Tc) | N-Channel | Super Junction | 600V | 95A (Tc) | 24 mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,841
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 95A SP4 | CoolMOS™ | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP4 | SP4 | 462W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 95A (Tc) | 24 mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,158
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PG-TO247-3 | 500W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 68.5A (Tc) | 41 mOhm @ 33.1A, 10V | 4.5V @ 3.3mA | 300nC @ 10V | 8400pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,801
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 | CoolMOS™ | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP1 | SP1 | 462W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 95A (Tc) | 24 mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,237
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 [L] | 862W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 97A (Tc) | 41 mOhm @ 48.5A, 10V | 3.5V @ 2.96mA | 300nC @ 10V | 7650pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1