- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,054
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 7A TO220 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220FM | 40W (Tc) | N-Channel | 500V | 7A (Tc) | 1.3 Ohm @ 3.5A, 10V | 4V @ 1mA | 15nC @ 10V | 450pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,393
有现货
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-39 | 360mW (Tc) | P-Channel | 60V | 750mA (Tj) | 900 mOhm @ 3.5A, 10V | 3.5V @ 10mA | - | 450pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,669
有现货
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92-3 | 740mW (Tc) | P-Channel | 60V | 640mA (Tj) | 900 mOhm @ 3.5A, 10V | 3.5V @ 10mA | - | 450pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |