- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,147
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | TrenchFET® Gen IV | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 12.4A (Ta), 45A (Tc) | 13.5 mOhm @ 10A, 10V | 3.6V @ 250µA | 41.5nC @ 10V | 2060pF @ 50V | 7.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,452
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., | MDmesh™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerFlat™ HV | PowerFlat™ (8x8) HV | 150W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 20A (Tc) | 154 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 41.5nC @ 10V | 1790pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,772
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 103W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 100A (Tc) | 4.1 mOhm @ 15A, 10V | 2.15V @ 1mA | 41.5nC @ 10V | 2400pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,655
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | MDmesh™ M2 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 190W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 24A (Tc) | 140 mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 41.5nC @ 10V | 1790pF @ 100V | 10V | ±25V |
粤ICP备2022113175号-1