- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,194
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | STripFET™ II | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Tc) | N-Channel | 30V | 9A (Tc) | 20 mOhm @ 4.5A, 10V | 1V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 730pF @ 25V | 5V, 10V | ±18V | ||
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获得报价 |
1,553
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 25W (Tc) | N-Channel | 30V | 45.5A (Tc) | 6.7 mOhm @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 985pF @ 15V | 4.5V, 10V | +20V, -16V | ||
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获得报价 |
2,079
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 1.25W (Ta) | P-Channel | 20V | 4.7A (Ta) | 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 1020pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |