- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- Vgs(最大值) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,744
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6-TSOP | 5W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 6.9A (Tc) | 61 mOhm @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 975pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±12V | |||
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获得报价 |
3,525
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO | TrenchFET® Gen IV | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 25W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 45.5A (Tc) | 6.7 mOhm @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 985pF @ 15V | 4.5V, 10V | +20V, -16V | |||
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获得报价 |
1,553
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO | TrenchFET® Gen IV | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 25W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 45.5A (Tc) | 6.7 mOhm @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 985pF @ 15V | 4.5V, 10V | +20V, -16V | |||
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获得报价 |
2,684
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO | TrenchFET® Gen IV | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 25W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 45.5A (Tc) | 6.7 mOhm @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 985pF @ 15V | 4.5V, 10V | +20V, -16V |