晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IXTT12N140		获得报价	PDF RFQ	2,007 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 1400V 12A TO268	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-	Surface Mount	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268	890W (Tc)	N-Channel	-	1400V	12A (Tc)	2 Ohm @ 6A, 10V	4.5V @ 250µA	106nC @ 10V	3720pF @ 25V	10V	±20V
	IPI020N06NAKSA1	单位 $2.47	获得报价	PDF RFQ	1,335 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3	OptiMOS™	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	PG-TO262-3	3W (Ta), 214W (Tc)	N-Channel	-	60V	29A (Ta), 120A (Tc)	2 mOhm @ 100A, 10V	2.8V @ 143µA	106nC @ 10V	7800pF @ 30V	6V, 10V	±20V
	SIHP21N65EF-GE3	单位 $4.61	获得报价	PDF RFQ	1,763 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	208W (Tc)	N-Channel	-	650V	21A (Tc)	180 mOhm @ 11A, 10V	4V @ 250µA	106nC @ 10V	2322pF @ 100V	10V	±20V
	IPP020N06NAKSA1	单位 $3.97	获得报价	PDF RFQ	3,207 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3	OptiMOS™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	PG-TO-220-3	3W (Ta), 214W (Tc)	N-Channel	-	60V	29A (Ta), 120A (Tc)	2 mOhm @ 100A, 10V	2.8V @ 143µA	106nC @ 10V	7800pF @ 30V	6V, 10V	±20V
	IPB014N06NATMA1		获得报价	PDF RFQ	2,059 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7	OptiMOS™	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	PG-TO263-7	3W (Ta), 214W (Tc)	N-Channel	-	60V	34A (Ta), 180A (Tc)	1.4 mOhm @ 100A, 10V	2.8V @ 143µA	106nC @ 10V	7800pF @ 30V	6V, 10V	±20V
	IPB014N06NATMA1	单位 $3.70	获得报价	PDF RFQ	2,344 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7	OptiMOS™	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	PG-TO263-7	3W (Ta), 214W (Tc)	N-Channel	-	60V	34A (Ta), 180A (Tc)	1.4 mOhm @ 100A, 10V	2.8V @ 143µA	106nC @ 10V	7800pF @ 30V	6V, 10V	±20V
	IPB014N06NATMA1	单位 $1.79	获得报价	PDF RFQ	2,868 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7	OptiMOS™	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	PG-TO263-7	3W (Ta), 214W (Tc)	N-Channel	-	60V	34A (Ta), 180A (Tc)	1.4 mOhm @ 100A, 10V	2.8V @ 143µA	106nC @ 10V	7800pF @ 30V	6V, 10V	±20V

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