- 系列 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,768
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB | SIPMOS® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 81.1W (Ta) | P-Channel | - | 60V | 18.7A (Ta) | 130 mOhm @ 13.2A, 10V | 4V @ 1mA | 28nC @ 10V | 860pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,503
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 | CoolMOS™ | Last Time Buy | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 74W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 9.2A (Tc) | 450 mOhm @ 3.4A, 10V | 3.5V @ 280µA | 28nC @ 10V | 620pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,292
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 5.1A (Tc) | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V | 3.5V @ 310µA | 28nC @ 10V | 710pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,573
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220 | SIPMOS® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 81.1W (Ta) | P-Channel | - | 60V | 18.7A (Ta) | 130 mOhm @ 13.2A, 10V | 4V @ 1mA | 28nC @ 10V | 860pF @ 25V | 10V | ±20V |