- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,466
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT | DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 3.5W (Ta), 50W (Tc) | N-Channel | 100V | - | 20 mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 22nC @ 10V | 2000pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,654
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 24.8A LFPAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 85W (Tc) | N-Channel | 100V | 24.8A (Tc) | 53 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 22nC @ 10V | 1467pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,465
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP | U-MOSVIII-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-SOP Advance (5x5) | 1.6W (Ta), 48W (Tc) | N-Channel | 100V | 24A (Tc) | 13.6 mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 300µA | 22nC @ 10V | 1900pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,478
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223-4 | 2.4W (Ta) | N-Channel | 100V | 2.3A (Ta) | 200 mOhm @ 1.15A, 10V | 4V @ 250µA | 22nC @ 10V | 480pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1