- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,423
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 7A (Ta), 22A (Tc) | 25 mOhm @ 7A, 10V | 2.5V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1305pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,977
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-VSONP (5x6) | 3.2W (Ta), 63W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Ta) | 15.1 mOhm @ 10A, 10V | 3.4V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1680pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,897
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-VSONP (5x6) | 3.2W (Ta), 63W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Ta) | 15.1 mOhm @ 10A, 10V | 3.4V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1680pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |