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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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$2.37
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RFQ
1,297
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ON Semiconductor PTNG 80/20V IN 3X3CLIP PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN Power33 2.4W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 80V 11A (Ta), 51A (Tc) 10 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 90µA 22nC @ 10V 1500pF @ 40V 6V, 10V ±20V
FDMC86160ET100
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$2.44
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RFQ
2,965
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 9A POWER33 PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN Power33 2.8W (Ta), 65W (Tc) N-Channel - 100V 9A (Ta), 43A (Tc) 14 mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 22nC @ 10V 1290pF @ 50V 6V, 10V ±20V
FDMC7696
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RFQ
3,791
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 20A POWER33 PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 2.4W (Ta), 25W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta), 20A (Tc) 11.5 mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V 1430pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
FDMC86160
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RFQ
1,283
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ON Semiconductor MOSFET N CH 100V 9A POWER33 PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN Power33 2.3W (Ta), 54W (Tc) N-Channel - 100V 9A (Ta), 43A (Tc) 14 mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 22nC @ 10V 1290pF @ 50V 6V, 10V ±20V
FDMC86102L
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$1.68
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RFQ
877
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 2.3W (Ta), 41W (Tc) N-Channel - 100V 7A (Ta), 18A (Tc) 23 mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V 1330pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
FDMC86102LZ
单位
$1.68
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RFQ
649
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 2.3W (Ta), 41W (Tc) N-Channel - 100V 7A (Ta), 18A (Tc) 24 mOhm @ 6.5A, 10V 2.2V @ 250µA 22nC @ 10V 1290pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
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