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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NDS9410A
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RFQ
2,057
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 7.3A (Ta) 28 mOhm @ 7.3A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V 830pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMP3028LFDE-13
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$0.48
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RFQ
2,699
有现货
Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type E) 660mW (Ta) P-Channel - 30V 6.8A (Ta) 32 mOhm @ 7A, 10V 2.4V @ 250µA 22nC @ 10V 1241pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
R6011KNJTL
单位
$2.17
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RFQ
1,263
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 124W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Isolated) 600V 11A (Tc) 390 mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 22nC @ 10V 740pF @ 25V 10V ±20V
DMP3028LK3-13
单位
$0.63
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RFQ
1,170
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 27A TO252 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 1.6W (Ta) P-Channel - 30V 27A (Tc) 25 mOhm @ 7A, 10V 2.4V @ 250µA 22nC @ 10V 1241pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
AO4480
单位
$0.65
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RFQ
2,096
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 3.1W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 11.5 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V 1920pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
IRF9620STRLPBF
单位
$2.83
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RFQ
3,758
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3W (Ta), 40W (Tc) P-Channel - 200V 3.5A (Tc) 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22nC @ 10V 350pF @ 25V 10V ±20V
AON7534
单位
$0.58
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RFQ
882
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSMD, Flat Leads 8-DFN (3x3) 3W (Ta), 23W (Tc) N-Channel - 30V 20A (Ta), 30A (Tc) 5 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 22nC @ 10V 1037pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMP3028LFDE-7
单位
$0.48
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RFQ
2,867
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type E) 660mW (Ta) P-Channel - 30V 6.8A (Ta) 32 mOhm @ 7A, 10V 2.4V @ 250µA 22nC @ 10V 1241pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRFM120ATF
单位
$0.88
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RFQ
3,478
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 2.4W (Ta) N-Channel - 100V 2.3A (Ta) 200 mOhm @ 1.15A, 10V 4V @ 250µA 22nC @ 10V 480pF @ 25V 10V ±20V
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