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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQPF6N50
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RFQ
1,928
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220F QFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 42W (Tc) N-Channel - 500V 3.6A (Tc) 1.3 Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 22nC @ 10V 790pF @ 25V 10V ±30V
FQPF7N40
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RFQ
3,844
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F QFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 42W (Tc) N-Channel - 400V 4.6A (Tc) 800 mOhm @ 2.3A, 10V 5V @ 250µA 22nC @ 10V 780pF @ 25V 10V ±30V
FQPF9N30
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RFQ
737
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F QFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 42W (Tc) N-Channel - 300V 6A (Tc) 450 mOhm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 22nC @ 10V 740pF @ 25V 10V ±30V
FQPF4N90C
单位
$1.55
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RFQ
2,794
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 47W (Tc) N-Channel - 900V 4A (Tc) 4.2 Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 22nC @ 10V 960pF @ 25V 10V ±30V
FQPF4N90CT
单位
$1.55
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RFQ
1,645
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 4A QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 47W (Tc) N-Channel - 900V 4A (Tc) 4.2 Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 22nC @ 10V 960pF @ 25V 10V ±30V
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