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漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFIZ34E
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 37W (Tc) N-Channel - 60V 21A (Tc) 42 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34nC @ 10V 700pF @ 25V 10V ±20V
IRFIZ34NPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 37W (Tc) N-Channel - 55V 21A (Tc) 40 mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34nC @ 10V 700pF @ 25V 10V ±20V
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