- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,217
有现货
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A IPAK | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 93.9W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 16A (Tc) | 240 mOhm @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 944pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
885
有现货
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 94W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 3A (Tc) | 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 696pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,915
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK | MDmesh™ II | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 70W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 7A (Tc) | 650 mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 560pF @ 50V | 10V | ±25V |