- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,601
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 | - | Not For New Designs | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6-CPH | 1.6W (Ta) | N-Channel | - | 35V | 6A (Ta) | 37 mOhm @ 3A, 10V | - | 10nC @ 10V | 470pF @ 20V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,327
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | HEXFET® | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 35W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8.7A (Tc) | 190 mOhm @ 5.2A, 10V | 4V @ 250µA | 10nC @ 10V | 310pF @ 25V | 10V | ±20V |