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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPB60R950C6ATMA1
单位
$1.31
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RFQ
3,021
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 CoolMOS™ Last Time Buy Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 37W (Tc) N-Channel - 600V 4.4A (Tc) 950 mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13nC @ 10V 280pF @ 100V 10V ±20V
STB6NM60N
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RFQ
3,615
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK MDmesh™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 45W (Tc) N-Channel - 600V 4.6A (Tc) 920 mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 13nC @ 10V 420pF @ 50V 10V ±25V
STH6N95K5-2
单位
$2.54
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RFQ
2,203
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 6A MDmesh™ K5 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 110W (Tc) N-Channel - 950V 6A (Tc) 1.25 Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13nC @ 10V 450pF @ 100V 10V ±30V
IPB60R360P7ATMA1
单位
$1.68
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RFQ
3,771
有现货
Infineon Technologies MOSFET TO263-3 CoolMOS™ P7 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 41W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 360 mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 140µA 13nC @ 10V 555pF @ 400V 10V ±20V
STB3N62K3
单位
$1.71
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RFQ
2,962
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK SuperMESH3™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 45W (Tc) N-Channel - 620V 2.7A (Tc) 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V 4.5V @ 50µA 13nC @ 10V 385pF @ 25V 10V ±30V
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