- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,341
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK | SIPMOS® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 42W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 8.8A (Ta) | 300 mOhm @ 6.2A, 10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | 420pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,489
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK | QFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.13W (Ta), 63W (Tc) | P-Channel | - | 400V | 2A (Tc) | 6.5 Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,478
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK | QFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.13W (Ta), 75W (Tc) | P-Channel | - | 200V | 4.8A (Tc) | 1.4 Ohm @ 2.4A, 10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | 430pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,382
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 | SIPMOS® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 42W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 8.8A (Ta) | 300 mOhm @ 6.2A, 10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | 420pF @ 25V | 10V | ±20V |