- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,601
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 | CoolMOS™ | Last Time Buy | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | PG-TO-220-FP | 33W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 12A (Tc) | 250 mOhm @ 7.8A, 10V | 3.5V @ 440µA | 35nC @ 10V | 1300pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,512
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 | CoolMOS™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | PG-TO-220-FP | 33W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 11A (Tc) | 299 mOhm @ 6.6A, 10V | 3.5V @ 440µA | 29nC @ 10V | 1100pF @ 100V | 10V | ±20V |