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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
PHM21NQ15T,518
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RFQ
2,798
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON TrenchMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-VDFN Exposed Pad 8-HVSON (6x5) 62.5W (Tc) N-Channel - 150V 22.2A (Tc) 55 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 36.2nC @ 10V 2080pF @ 25V 5V, 10V ±20V
PHM18NQ15T,518
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RFQ
2,569
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 TrenchMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-VDFN Exposed Pad 8-HVSON (6x5) 62.5W (Tc) N-Channel - 150V 19A (Tc) 75 mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1mA 26.4nC @ 10V 1150pF @ 25V 5V, 10V ±20V
PHM12NQ20T,518
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RFQ
3,142
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON TrenchMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-VDFN Exposed Pad 8-HVSON (6x5) 62.5W (Tc) N-Channel - 200V 14.4A (Tc) 130 mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1mA 26nC @ 10V 1230pF @ 25V 5V, 10V ±20V
PHK4NQ20T,518
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RFQ
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 TrenchMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 6.25W (Tc) N-Channel - 200V 4A (Tc) 130 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 26nC @ 10V 1230pF @ 25V 5V, 10V ±20V
PHD14NQ20T,118
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2,493
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 200V 14A DPAK TrenchMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 125W (Tc) N-Channel - 200V 14A (Tc) 230 mOhm @ 7A, 10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V 1500pF @ 25V 5V, 10V ±20V
PHK5NQ15T,518
单位
$0.64
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RFQ
2,159
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1 TrenchMOS™ Last Time Buy Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 6.25W (Tc) N-Channel - 150V 5A (Tc) 75 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 29nC @ 10V 1150pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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