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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE | Z-FET™ | Obsolete | Bulk | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | 313mW (Tj) | N-Channel | - | 1200V | 50A (Tj) | 110 mOhm @ 20A, 20V | 4V @ 1mA | 90.8nC @ 20V | 1915pF @ 800V | 20V | +25V, -5V |