- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,067
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | SIPMOS® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 95W (Tc) | N-Channel | 200V | 14.5A (Tc) | 200 mOhm @ 9A, 5V | 4V @ 1mA | - | 1120pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,196
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 95W (Tc) | N-Channel | 200V | 14.5A (Tc) | 200 mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | - | 1120pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,439
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | SIPMOS® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 95W (Tc) | N-Channel | 200V | 14.5A (Tc) | 200 mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | - | 1120pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,769
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | SIPMOS® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 95W (Tc) | N-Channel | 200V | 14.5A (Tc) | 200 mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | - | 1120pF @ 25V | 10V | ±20V |