- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,854
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223 | TrenchMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 6.25W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 2.5A (Tc) | 430 mOhm @ 1.75A, 10V | 4V @ 1mA | 5.1nC @ 10V | 160pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,741
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 | TrenchMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 6.25W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 4A (Tc) | 130 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 1mA | 26nC @ 10V | 1230pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,159
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1 | TrenchMOS™ | Last Time Buy | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 6.25W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 5A (Tc) | 75 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 29nC @ 10V | 1150pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |