- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,882
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 1.9W (Ta) | P-Channel | 20V | 12A (Ta) | 7.7 mOhm @ 19A, 4.5V | 1V @ 250µA | 140nC @ 5V | - | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,545
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 1.9W (Ta) | P-Channel | 20V | 12A (Ta) | 7.7 mOhm @ 19A, 4.5V | 1V @ 250µA | 140nC @ 5V | - | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,007
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | 30V | 12A (Ta) | 13.5 mOhm @ 6.6A, 10V | 1V @ 250µA | 79nC @ 10V | 1800pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,451
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN | PowerTrench® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-MicroFET (2x2) | 2.4W (Ta) | P-Channel | 12V | 12A (Ta) | 12.5 mOhm @ 12A, 4.5V | 1V @ 250µA | 34nC @ 4.5V | 3957pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,261
有现货
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Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 20V 12A DFN202 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | DFN2020-6J | - | N-Channel | 20V | 12A (Ta) | 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 32nC @ 5V | 1800pF @ 4V | 1.2V, 4.5V | ±10V |