- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,474
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 8A (Tc) | 20 mOhm @ 8A, 10V | 1V @ 250µA | 60nC @ 10V | 2320pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,186
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2W (Ta), 4.6W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 8A (Tc) | 27 mOhm @ 8A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 8V | 830pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,775
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2W (Ta), 4.6W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 8A (Tc) | 27 mOhm @ 8A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 8V | 830pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,105
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 8A (Tc) | 20 mOhm @ 8A, 10V | 1V @ 250µA | 60nC @ 10V | 2320pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |