- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,824
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-UFDFN | 3-DFN1006 (1.0x0.6) | 540mW (Ta) | N-Channel | - | 25V | 1.3A (Ta) | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 0.85nC @ 4.5V | 70.13pF @ 15V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,835
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 540mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 760mA (Ta) | 600 mOhm @ 600mA, 10V | 1V @ 250µA | 5.1nC @ 10V | 75pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
601
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 540mW (Ta) | N-Channel | - | 30V | 1.2A (Ta) | 250 mOhm @ 910mA, 10V | 1V @ 250µA | 5nC @ 10V | 85pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |